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Samsung annonce une révolution dans les mémoires flash et DDR2

La société a créé la première puce mémoire flash de 60 nanomètres et d’une capacité de 8 gigabits. Une véritable révolution dans la miniaturisation.

21 septembre 2004, 0h00
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Le sud-coréen Samsung Electronics a créé la première puce mémoire flash de 60 nanomètres (un milliardième de mètre) et d’une capacité de 8 gigabit, ce qui constitue une véritable révolution dans la miniaturisation des processeurs qui entrent ainsi dans une nouvelle génération, selon le groupe lundi. Cette nanomémoire flash permettra de stocker près de 16 heures d’images en qualité DVD ou 4000 fichiers MP3 audio sur une seule carte mémoire, précise Samsung. «Pour la première fois, nous sommes pa...
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